تکنولوژی جدید IBM جایگزین رم و فلش مموری

شرکت IBM Research فن‎آوری ذخیره‎سازی نوری توسعه داده که ممکن است در آینده جایگزین حافظه‎ی فلش و رم در گوشی‎های همراه هوشمند شود. این فن‎آوری که حافظه‎ی تغییر فازی (PCM) نامیده می‎شود قبلا برای استفاده در دستگاه‎های موبایل نظیر یک گوشی همراه بسیار گران‎قیمت در نظر گرفته شده بوده است. این فن‎آوری از جریان الکتریکی برای رایت و خواندن داده‎ها از شیشه‎ی بدون نظم استفاده می‎کند.

از PCM قبلا به مدت 15 سال در دیسک‎های نوری و فن‎آوری‎های دیگر استفاده می‎شده است. IBM نه تنها راهی برای کاهش هزینه‎ها پیدا کرده، بلکه روشی را ابداع کرده است که به واسطه‎ی آن 3 بیت از داده‎ها را در هر سلول، حتی در دماهای محیطی بالاتر، ذخیره می‎کند. این روش که  روز سه شنبه در کارگاه حافظه‎ی بین‎المللی سازمان IEEE در پاریس به نمایش گذاشته شد، هزینه‎ی PCM را به نحوی کاهش خواهد داد که رقیبی برای حافظه‎های فلش محسوب شده و به نسبت DRAM ارزان‎‎قیمت‎تر باشد.

برخلاف رم، PCM زمانی که از منبع برق جدا شود داده‎ها را از دست نخواهد داد. PCM و فلش می‎توانند با هم برای ایجاد یک کش فوق‎العاده سریع ترکیب شوند. به عنوان مثال، IBM می‎گوید که سیستم‎عامل یک گوشی را می‎توان در PCM ذخیره کرد تا دستگاه در عرض چند ثانیه بوت شود.

این شرکت چنین گفته است “مواد PCM دو حالت پایدار نشان می‎دهند، فازهای بدون نظم (شکل) (بدون یک ساختار به شکل معین تعریف شده) و کریستالی (با داشتن ساختار) که به ترتیب دارای هدایت الکتریکی پایین و بالایی می‎باشند. به منظور ذخیره‎سازی ‘0’ و ‘1’، که به عنوان بیت شناخته می‎شوند، بر روی یک سلول PCM، یک جریان الکتریکی بالا یا متوسط بر روی این مواد به کار گرفته می‎شود. یک ‘0’ را می‎توان طوری برنامه‎ریزی کرد که در فاز بدون نظم نوشته شود یا یک ‘1’ در فاز کریستالی ذخیره شود، یا جای این دو را با هم عوض کرد.

سپس برای خواندن دوباره‎ی این بیت یک ولتاژ کم به کار گرفته می‎شود. دیسک‎های بلوری که قابلیت رایت کردن مجدد را دارند از این روش به منظور ذخیره‎‌سازی ویدیوها استفاده می‎کنند.

هنوز تحولی که PCM در آینده می‎تواند ایجاد کند مشخص نیست، ولی یقینا می‎تواند روش ذخیره‎‌سازی داده‎ها و به فراخواندن آن‎ها در گوشی‎ها را تغییر دهد و در نتیجه باعث شود که کاربران به اطلاعاتی که نیاز دارند سریع‎تر دسترسی داشته باشند.